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31.
溴酸钾-亚甲蓝催化光度法测定硝酸盐和亚硝酸盐 总被引:16,自引:1,他引:15
用镉柱将NO-3 还原为NO-2 ,利用在磷酸介质中NO-2 对溴酸钾氧化亚甲蓝这一褪色反应具有强烈的催化作用而建立了同时测定痕量硝酸盐和亚硝酸盐的新方法。本方法简便、快速、灵敏 ,对亚硝酸盐和硝酸盐测定的线性范围分别为 0~ 2 0 0 μg·L-1和 0 0 0 3~ 310 μg·L-1,用于测定各种水样中痕量NO-2 和NO-3 的含量均获得满意结果 相似文献
32.
新生MnO2对酸性媒介黑T的吸附 总被引:4,自引:0,他引:4
以化学法合成的新生MnO2为吸附剂,对水中酸性媒介黑T(染料之一)进行了吸附脱色研究,并探讨了影响吸附的因素。结果表明,酸性媒介黑T的脱色率达95%。且PH是影响染料脱色的主要因素。 相似文献
33.
34.
35.
单甲基原位改性SiO2疏水减反膜的制备与性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在碱性条件下通过TEOS和MTES的共水解缩聚反应制备了单甲基原位改性的SiO2溶胶,并使用提拉法在K9玻璃基片上镀制了疏水减反膜。通过透射电镜(TEM)考察了镀膜溶胶的微结构,分别使用红外光谱(FTIR)分析了薄膜的组分,用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌和起伏状况,用紫外可见光谱(UV-vis)考察了薄膜的减反射性能,用接触角仪测量了薄膜对水的接触角。并使用“R-on-1”的方式测量了薄膜在Nd:YAG激光(1 064 nm,1 ns)作用下的损伤阈值。结果表明,通过共水解缩聚反应可以把甲基引入镀膜溶胶簇团中,改善了溶胶簇团的网络结构,使薄膜得到相当好的疏水性能和更好的抗激光损伤性能,同时薄膜能保持较好的减反射性能。 相似文献
36.
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析.
关键词:
微晶硅薄膜太阳电池
气体流量
ZnO/Ag/Al背反射电极 相似文献
37.
38.
ZHONG Hui WAN Mingxi JIANG Yifeng WANG Supin 《声学学报:英文版》2006,25(2):104-115
The present study was to investigate the differential imaging method for detecting HIFU (High Intensity Focused Ultrasound)-induced lesions and the estimation of variation of attenuation for lesion evaluation with log spectral difference algorithm. Experiment results of bovine muscle and liver in vitro were acquired. Several algorithms for lesion detection - Absolute Difference (AD), Sum Absolute Differences (SAD) and Sum Squared Differences (SSD) - were analyzed with several window sizes and threshold values. Then three attenuation parameters were compared to evaluate the degree of tissue damage. It was found that variation of the mean attenuation △α was an effective parameter to evaluate lesions. 相似文献
39.
本文指出了传统投资决策方法的缺陷 ,提出了将期权理论应用于投资决策的总体思路 ,突破了传统决策分析的局限性 ,使决策更加科学和合理 相似文献
40.
本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。
关键词: 相似文献